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基底处理抑制成核生长大晶畴石墨烯的研究
2029 2015-12-22
编号:NMJS05507
篇名: 基底处理抑制成核生长大晶畴石墨烯的研究
作者: 白晓航; 郭磊; 王兰喜; 曹生珠; 陈学康;
关键词:化学气相沉积; 抑制成核; 毫米石墨烯晶畴;
机构:兰州空间技术物理研究所真空技术与物理重点实验室;
摘要: 电抛光及退火有效降低了铜箔表面的杂质及缺陷,将石墨烯成核密度降至约50个/cm2,制备了毫米尺寸晶畴的石墨烯连续膜。石墨烯连续膜中大部分区域是单层的,但有约20%的双/多层区域。电性能的测量结果表明,通过增大石墨烯晶畴尺寸提高石墨烯连续膜的电性能是可行的。