基底处理抑制成核生长大晶畴石墨烯的研究

2029

2015-12-22

编号：NMJS05507
篇名：基底处理抑制成核生长大晶畴石墨烯的研究
作者：白晓航；郭磊；王兰喜；曹生珠；陈学康；
关键词：化学气相沉积；抑制成核；毫米石墨烯晶畴；
机构：兰州空间技术物理研究所真空技术与物理重点实验室；
摘要：电抛光及退火有效降低了铜箔表面的杂质及缺陷,将石墨烯成核密度降至约50个/cm2,制备了毫米尺寸晶畴的石墨烯连续膜。石墨烯连续膜中大部分区域是单层的,但有约20%的双/多层区域。电性能的测量结果表明,通过增大石墨烯晶畴尺寸提高石墨烯连续膜的电性能是可行的。