编号：CYYJ04591
篇名： SiC晶须/CNT协同增强石墨烯电磁屏蔽效能
作者： 付长璟；周嘉懿；胡国杰；赵云长；刘桐
关键词： 碳化硅晶须; 碳纳米管; 石墨烯; 复合材料; 电磁屏蔽;
机构：黑龙江科技大学材料科学与工程学院
摘要： 石墨烯因其优异的导热与导电性能，在电子、航空航天等高科技领域展现出重要应用价值，其优异的电磁屏蔽性能在民用及军工领域亦具有广阔前景。本研究以氧化石墨烯（GO）为基体，引入碳化硅晶须（SiCw）和碳纳米管（CNT）作为增强相与导电连接剂，桥接石墨烯片层以提升复合材料综合性能。采用水热法成功制备了SiCw/CNT/石墨烯复合材料，系统探究了SiCw含量与CNT用量对复合材料微观结构及性能的影响规律。利用X射线衍射分析仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和傅里叶红外光谱仪（FTIR）对复合材料的物相组成、微观形貌及官能团进行了表征分析；采用矢量网络分析仪测试了其电磁屏蔽效能（EMI SE）。研究结果表明，适量复配SiCw与CNT可有效构筑三维连通的导电网络并形成多级孔结构，从而显著增强复合材料的导电损耗与电磁波散射损耗，大幅提升其电磁屏蔽性能。在X波段（8.2～12.4 GHz），经优化的复合材料电磁屏蔽效能（SET）高达77.5 dB，其中吸收屏蔽效能（SEA）超过65 dB，表现出优异的电磁防护能力。