石墨烯晶格缺陷可以产生磁场电阻效应,有望应用于磁传感器和磁阻随机存储器
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2011-08-16
编号：FTJS01481
篇名： 石墨烯晶格缺陷可以产生磁场电阻效应,有望应用于磁传感器和磁阻随机存储器
作者： 郑冬冬;
关键词：磁传感器; 马里兰; 随机存储器; 石墨; 电阻效应; 局部磁场; 磁阻; 晶格缺陷;
机构：
摘要： <正>美国马里兰大学的研究人员最近发现,在石墨烯晶格中人为地、有控制地引入晶格缺陷,可以产生局部磁场,这些磁场对传导电子散射几率的影响类似于参杂金属晶体中产生的近藤效应。研究人员希望这一发现使得石墨烯可以被用来制造磁传感器和磁阻随机存储器。
